Samsung ще стартира 3 nm производство преди TSMC

Samsung ще стартира 3 nm производство преди TSMC

Samsung обяви, че производството по 3 nm технологичен процес ще започне в близките няколко седмици. По този начин компанията ще изпревари TSMC.

По данни на TSMC, 3 nm технологичен процес с архитектура FinFET ще бъде пуснат в масово производство през втората половина на тази година. Анализатори в отрасъла са на мнение, че макар Samsung да твърди, че 3 nm технологията се приближава към масовото производство, от гледна точка на плътността на транзисторите и производителността, 3 nm процес на Samsung е съпоставим с 5 nm технологията на TSMC и 4 nm технологичен процес на Intel.

На теория 3 nm технологията на Samsung е най-новата, но на практика тя все още изостава от TSMC. Samsung обяви пред инвеститори, че през първата половина на тази година 3 nm процес на базата на GAA ще е напълно готов и ще влезе в производство в следващите осем седмици.

Samsung твърди, че в сравнение с текущия 7 nm процес с архитектура FinFET, новите 3 nm чипове могат да работят в среда с ниско напрежение под 0,75 V. Това ще позволи да се намали общата консумация на енергия с 50%, ще увеличи производителността с 30% и ще намали размерите на чипа с 45%.

Засега е неизвестно колко висок ще е бракът при 3 nm технологичен процес на Samsung. При 4 nm процес на Samsung процентът на годната продукция е много нисък, което принуди основните клиенти на компанията да преминат при TSMC. Съгласно анализи в отрасъла, качествената продукция по 3 nm технология на Samsung е около 10%, но това не е потвърдено от компанията.

TSMC вече работи над 2 nm технология. Пробното производство ще започне през 2024 г, а масовото е планирано за 2025 г.

IT новини